法国巴黎银行表示，随着人工智能(AI)推动内存行业进入“历史性上升周期”，美光科技(MU.US)和Sandisk(SNDK.US)有望持续受益。该行分析师卡尔·阿克曼(Karl Ackerman)在客户报告中表示：“随着消费级DRAM和NAND TLC现货价格在11月同比分别上涨408%和165%，我们相信DRAM和NAND正步入可能贯穿2026年的历史性上升周期。我们继续看好内存和存储供应链，不过数据中心业务占比较高的公司表现会更好。”深入分析后，阿克曼表示，DRAM第四季度平均售价预计将环比上涨35%，2026年第一季度将环比上涨10%。他补充道，根据近期调研，这主要是由于供应持续紧张。NAND情况类似，预计第四季度价格上涨15%，下一季度上涨7%。阿克曼解释道：“自1999年以来，DRAM的平均上升周期持续8个月，平均售价从低谷到高峰上涨53%，而NAND的平均上升周期通常持续6个月，平均售价上涨40%。当前DRAM上升周期已进入第5个月，平均售价较谷底上涨55%;NAND上升周期进入第4个月，平均售价较谷底上涨51%。然而，我们预计本轮上升周期对DRAM和NAND都将更具持续性。我们观察到巨大的现货/合约价差：DDR4为45%，DDR5为89%，256Gb TLC为47%，512Gb TLC为9%，这预示着价格将进一步上涨。”内存芯片“超级周期”已至!供应短缺或延续至2026年在ChatGPT于2022年11月发布并引发生成式AI热潮，以及全球掀起AI数据中心建设热潮之后，内存芯片制造商开始将更多产能分配给高带宽内存(HBM)芯片。来自中国竞争对手的成熟芯片竞争日益激烈，也促使控制着全球约70%的DRAM芯片市场的三星和SK海力士这两家公司加速向高端芯片转移。这些厂商自2025年初起便陆续调整战略，逐步减少乃至计划在2025年底至2026年初完全停止DDR4内存颗粒的生产，将产能全面转向利润更高、技术更先进的DDR5、HBM等产品。摩根士丹利预计，包括谷歌、亚马逊、Meta、微软和CoreWeave在内的科技巨头，今年将在人工智能基础设施上投入4000亿美元。而这场AI繁荣，又恰逢传统数据中心和个人电脑迎来新的更新换代周期。分析师指出，加上手机销量超预期，这共同加剧了非HBM内存芯片的供应紧张，并推高了其价格。据悉，RAM以4GB DDR4X为例，颗粒现货市场从今年初最低7美元/颗涨到11月中旬的30美元/颗以上，上涨3—4倍;闪存以64G eMMC为例，从年初的3.2美元/颗上涨到近期的8美元/颗以上，涨幅接近1.5倍。另外，随着海外AI服务器对eSSD的需求增加，NAND闪存也紧跟DRAM颗粒之后开始大幅涨价。随着普通内存芯片的供应已趋紧，全球内存芯片行业似乎正加剧迈入许多分析师所称的“超级周期”，设备制造商正疯狂囤积内存芯片。半导体分销商Fusion Worldwide总裁Tobey Gonnerman表示：“过去一两个月需求激增。市场变化确实快得惊人。抢购行为正在加剧，且将持续升级。客户普遍采取了双倍/三倍下单策略，这与以往多次短缺时的情形如出一辙。” .appendQr_wrap{border:1px solid #E6E6E6;padding:8px;} .appendQr_normal{float:left;} .appendQr_normal img{width:100px;} .appendQr_normal_txt{float:left;font-size:20px;line-height:100px;padding-left:20px;color:#333;} 海量资讯、精准解读，尽在新浪财经APP 责任编辑：于健 SF069